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2026年1月21-23日，第40届NEPCON JAPAN电子科技博览会在日本东京有明国际展览中心隆重举行。作为全球极少数几家具备高质量、大尺寸氮化铝单晶衬底全套制程和批量制造能力的领先技术企业之一，金沙9001最新以诚为本连续第三届亮相NEPCON JAPAN，本次展出了...
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2026，马踏新程，势启未来！
美国Soctera公司与射频巨头Qorvo公司的研究人员展示了一种在射频代工工厂中制造的高电子迁移率晶体管（HEMT），其氮化镓（GaN）沟道层夹在超宽带隙氮化铝（AlN）顶部和背部势垒/缓冲层之间。
译自原文Low Resistance Non-Alloyed Ohmic Contacts to High Al Composition n-type AlGaN 原文链接https://arxiv.org/abs/2512.08871v1, su...
日本NTT成功开发全球首款用于后5G通信的AlN基高频晶体管 – 拓展氮化铝应用领域：从功率转换到无线通信
氮化铝（AlN）作为电力电子材料具有巨大潜力，其关键指标——巴利加优值（Baliga figure of merit）超过所有其他超宽禁带半导体。然而，器件性能受限于与掺杂相关的困难，包括高电离能以及自补偿缺陷的形成。
康奈尔大学的研究人员开发出一种新型晶体管架构，该技术有望重塑高功率无线电子产品的设计范式，同时能缓解关键半导体材料的供应链风险。这种名为XHEMT的器件在氮化铝体单晶衬底上生长了超薄氮化镓层。氮化铝作为超宽禁带半导体材料，具有缺陷密度低、耐高压高温、可减少电能损耗等优异特性。
本研究开发了一种可控碳掺杂的两步生长工艺，利用热壁金属有机化学气相沉积（MOCVD）技术，成功在AlN单晶衬底上实现了150 nm和50 nm厚GaN沟道层的完全融合生长。所制备的HEMT器件展现出国际领先的二维电子气（2DEG）迁移率：150 nm厚沟道器件的迁移率达1805 ...
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